В чистом виде полупроводники не проводят электрический ток, а наличие примесей и обуславливает наличие свободных ячеек в их кристаллической структуре и наоборот (зависит от типа полупроводника)...
Следовательно любой полупроводник, используемый в радиоэлектронике должен быть примесным.
Примеси могут быть трех типов:
1) Образуют разбавленные растворы замещения, когда атом примеси «замещает» основной атом в узле кристаллической решетки. А для этого примесный атом обязан иметь приблизительно таковой радиус, что и основной атом, т.Е. Быть в периодической системе рядом слева либо справа. Если примесный атом находится справа. То это будет донорная примесь, которая содержит лишниие электроны, не участвующие в химической связи. Зоны образуются в итоге расщепления электронных уровней при их содействии. Примесные атомы образуют раствор, и друг с другом не взаимодействуют => нет расщепления зон. Если примесный уровень слева, то для образования химической связи на внешнем уровне не хватает электронов => образуются дырки. Примесь акцепторная.
2) Примеси внедрения появляются в том случае если примесный атом, малый по размеры попадает в междоузлие. Он не образует химической связи с соседними атомами, но его электроны могут служить носителями тока, если электроотрицательность примесного атома совсем мала. В кристаллической решетке Ge находятся меж узлами атомы Li (искажают решетку) – создание n-проводимости. Если попадает Cl, владеющий большой электроотрицательностью, то он захватывает электроны от соседних атомов, образуя дырку.
3) Примеси вычитания – отсутствие стехиометрии. Если катионообразователя (ZnSe избыток Zn) – возникает n-проводимость; если избыток анионообразователя (Se) – проводимость р-типа.
Т.Е. П/п совсем чувствительны к наличию примесей. Требуется тщательная очистка физико-химическими способами: зонная плавка, способ вытягивания по Чохральскому, транспортные реакции.